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力旺電子引領業界 率先推出16奈米精簡型FinFET製程OTP矽智財

本文作者:力旺電子       點擊: 2016-03-14 14:05
前言:
2016年3月14日--力旺電子今日宣布,其OTP NeoFuse技術緊跟新製程的開發步調,率先成功於16FF+進階版之16奈米精簡型FinFET(16nm FinFET Compact,16FFC)製程完成驗證,為16奈米製程平台矽智財開發畫下重要里程碑。力旺電子於16FFC成功佈建之NeoFuse技術,將能協助客戶快速將產品由16FF+技術轉進至進階的16FFC製程平台。繼領先業界於16FF+製程平台導入OTP技術後,力旺電子再次展現超越競爭對手的技術開發實力,為16奈米製程應用晶片客戶之最佳矽智財合作夥伴。

力旺電子NeoFuse技術擁有優異的元件架構及超低電壓操作記憶體元件的特性,在製程演進時,能快速地於新製程完成產品驗證與佈局。隨著16奈米製程由16FF+進階至16FFC製程平台,力旺電子NeoFuse矽智財規格同步進化,在提供客戶更佳的技術規格的同時,亦協助客戶得以靈活地於新製程平台進行產品規劃。

16FFC製程平台是為可兼顧最佳效能與功耗表現之先進製程平台,特別適合強調省電與成本效益的穿戴式裝置與物聯網之應用。16FFC製程平台將於2016進入試產階段,力旺電子領先業界在16FFC製程平台開發之NeoFuse矽智財預期將獲消費性電子、行動裝置應用客戶廣泛採用,以強化產品效能與成本競爭力。

力旺電子NeoFuse技術已於16FFC平台完成功能驗證,並將於今年第三季完成可靠性驗證,可提供客戶相當於16FF+製程平台上之技術規格。隨著16奈米製程快速演進,力旺亦將與合作夥伴緊密合作,攜手開發最新製程平台之矽智財,以提供給客戶在16奈米製程上,最多元完整的解決方案。
 
 
關於力旺電子:
力旺電子(股票代碼:3529)成立於2000年8月,專注於邏輯製程嵌入式非揮發性記憶體矽智財開發。自成立迄今,力旺電子投入研發自有創新技術,開發出NeoBit(一次性與多次性讀寫編程元件)、NeoFuse(一次性與多次性讀寫編程元件)、NeoMTP(一千次以上重複讀寫編程元件)、NeoFlash(一萬次以上重複讀寫編程元件)、NeoEE(十萬次以上重複讀寫編程元件)等領先性產品,並持續發展先進技術,致力於提供客戶廣泛的矽智財技術服務、非揮發性記憶體元件與嵌入式記憶體應用等,為全方位之嵌入式非揮發性記憶體矽智財供應商。如需取得更多力旺相關資料,請參見官方網站:
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