當前位置: 主頁 > 新聞 >
 

力旺電子NeoFuse矽智財領先業界 推進40奈米嵌入式高壓製程

本文作者:力旺電子       點擊: 2016-05-23 14:09
前言:
2016年5月23日--力旺電子今日宣布,其OTP NeoFuse矽智財領先業界,於世界級晶圓代工廠的40奈米嵌入式高壓製程 (Embedded High Voltage,EHV)完成可靠度驗證,客戶同時也在該代工廠完成設計定案(Tape Out),即將進入量產。為了滿足液晶顯示器驅動晶片(LCD Driver IC)與有機發光二極體顯示器驅動晶片(OLED Driver IC)需要作參數調校與功能設定的需求,邏輯製程非揮發性記憶體(Logic-Based Non-Volatile Memory,Logic NVM)解決方案已經是EHV製程上的標準配備。此項在高壓製程之進展,預期將使NeoFuse矽智財被更加廣泛地嵌入使用於新一代顯示器相關領域之各項應用。

力旺電子於40奈米EHV製程佈建之NeoFuse矽智財採用雙電壓的供電模式,並維持在其他製程上一貫的優異性能,可以達到低電壓操作。在40奈米EHV製程上,NeoFuse矽智財的電壓範圍最低可到達1.8伏特,該項在低電壓可以讀取資料的優異特性,使驅動晶片得以於系統啟動前即完成資料讀取與調校。

過去十年間,力旺電子已成功將Logic NVM解決方案廣泛佈建於各製程世代的高壓製程上,提供顯示器與觸控面板相關應用客戶提供多元解決方案,並強化客戶產品競爭力。做為Logic NVM矽智財之領導廠商,力旺電子與客戶及晶圓代工廠夥伴緊密合作,充份掌握製程開發與製程世代之演進,以期在製程開發初期即完成Logic NVM矽智財之驗證,有效協助客戶搶得市場先機,而此成功的經驗沒有例外地在40奈米EHV製程上再次實現。

力旺電子不僅引領業界,率先於40奈米EHV製程推出Logic NVM解決方案,其NeoFuse技術亦同步在其他的世界級晶圓代工廠之40奈米高壓製程(High Voltage,HV)進行佈局,預計本季即完成可靠度驗證,將可提供客戶更多元的選擇。展望未來,力旺電子將持續與晶圓代工廠緊密合作,拓展各製程平台之佈局,為客戶提供完整的Logic NVM技術與矽智財服務。
 
關於力旺電子:
力旺電子(股票代碼:3529)成立於2000年8月,專注於邏輯製程嵌入式非揮發性記憶體矽智財開發。自成立迄今,力旺電子投入研發自有創新技術,開發出NeoBit(一次性與多次性讀寫編程元件)、NeoFuse(一次性與多次性讀寫編程元件)、NeoMTP(一千次以上重複讀寫編程元件)、NeoFlash(一萬次以上重複讀寫編程元件)、NeoEE(十萬次以上重複讀寫編程元件)等領先性產品,並持續發展先進技術,致力於提供客戶廣泛的矽智財技術服務、非揮發性記憶體元件與嵌入式記憶體應用等,為全方位之嵌入式非揮發性記憶體矽智財供應商。如需取得更多力旺相關資料,請參見官方網站:
www.ememory.com.tw.

電子郵件:look@compotechasia.com

聯繫電話:886-2-27201789       分機請撥:11