2021年11月4日--矽智財供應商力旺電子與晶圓大廠聯華電子(UMC)今日宣布，力旺電子的可變電阻式記憶體（ReRAM）矽智財已成功通過聯電40奈米認證，支援消費性與工業規格之應用。
力旺電子的ReRAM矽智財於聯電40奈米製程驗證成功，充分顯示力旺不但在傳統非揮發記憶體矽智財產品線穩居領先地位，也在新興非揮發記憶體技術研發佈局有成。此次與聯電的合作，不但使力旺成為全球首批提供這種新興記憶體矽智財的公司之一，並攜手聯電為 MCU、PMIC 和 AIoT市場提供更全面的解決方案。
力旺電子技術長暨第二事業群總經理林慶源表示：「力旺的ReRAM矽智財目前已於聯電40奈米成功驗證，並繼續將ReRAM的開發延伸至22奈米與更先進製程，方便未來晶片設計者將力旺的ReRAM矽智財整合到產品中。」
「ReRAM矽智財於聯電 40nm 1.1V/2.5V 超低功耗 (ULP) 製程的開發以及向下 延伸至22nm ULP製程計劃，成功展現兩家公司對新興記憶體產品未來發展性的信心。」聯電矽智財研發暨設計支援處林子惠處長表示：「與力旺的合作有助於進一步豐富我們的特殊製程技術組合，我們預計ReRAM矽智財將可以成功打入重要的新市場。」
ReRAM 是一種新興的非揮發記憶體 (NVM) 技術，具有結構簡單、容易在晶圓代工廠生產並整合至CMOS平台以及滿足高速低功耗運作等諸多優點。力旺的ReRAM可為微控制器和電源管理IC提供代碼儲存(code storage)功能、為低功耗或便攜式物聯網設備中提供查找表(lookup table)，並進一步應用於記憶體內運算（CIM）與人工智慧(AI)等領域。
ReRAM預計將可取代目前在40奈米與更先進製程的傳統嵌入式快閃記憶體（eFlash），它同時也是BCD與HV等特殊製程的最佳嵌入式NVM解決方案。ReRAM具備許多優於分離閘快閃式記憶體(split-gate flash memory)的優勢，ReRAM 在後端流程中採用低溫製程，與分離閘快閃式記憶體相比，幾乎不需要熱積存(thermal budget)，並且更容易整合至各製程。
力旺與聯電攜手合作的此4Mb ReRAM矽智財技術係從日本松下半導體取得技術授權，具備16Kb資訊區塊、晶片修復、錯誤檢測和糾正等功能，並可支援高達125°C的工作溫度，不僅可用於消費性電子更適用於工業應用領域。
關於力旺電子
力旺電子(3529)是全球知名的領導半導體矽智財供應商，專精嵌入式Hard IP設計。自2000年成立以來，力旺持續提供全球2,000多家晶圓廠、整合元件廠和IC設計公司一流的矽智財解決方案。力旺在全球嵌入式非揮發性記憶體市場(embedded Non-volatile Memory)位居領導地位，其eNVM解決方案廣泛布建於全球主要晶圓廠製程，涵蓋製程技術之廣位居業界之冠。此外，力旺也領先業界以矽晶圓生物特徵開發其特有的晶片安全矽智財。力旺的eNVM 矽智財系列包括可一次編寫記憶體 (NeoBit/NeoFuse)、可多次編寫記憶體 (NeoMTP/NeoEE)以及晶片安全矽智財NeoPUF。
更多力旺電子訊息，請見公司官網 www.ememory.com.tw。
關於聯華電子
聯華電子(紐約證交所代碼：UMC，台灣證交所代碼：2303)為全球半導體晶圓專工業界的領導者，提供高品質的晶圓製造服務，專注於邏輯及特殊技術，為跨越電子行業的各項主要應用產品生產晶片。聯電完整的製程技術及製造解決方案包括邏輯/混合信號、嵌入式高壓解決方案、嵌入式非揮發性記憶體、RFSOI及BCD。聯電大部分的十二吋和八吋晶圓廠及研發中心位於台灣，另有數座晶圓廠位在亞洲其他地區。聯電現共有十二座晶圓廠，月產能總計約80萬片八吋約當晶圓，且全部皆符合汽車業的IATF-16949品質認證。聯電總部位於台灣新竹，另在中國、美國、歐洲、日本、韓國及新加坡設有服務據點，目前全球約有19,500名員工。
詳細資訊，請參閱聯華電子官網: https://www.umc.com
